Fortell venner om denne varen:
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2. utgave
Baliga, B. Jayant (Distinguished University Professor, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
Pris
NOK 2.329
Bestillingsvarer
Forventes levert 19. - 28. nov
Julegaver kan byttes frem til 31. januar
Legg til iMusic ønskeliste
eller
Finnes også som:
The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor 2. utgave
Baliga, B. Jayant (Distinguished University Professor, North Carolina State University, Raleigh, NC, USA)
850 pages
| Media | Bøker Innbunden bok (Bok med hard rygg og stivt omslag) |
| Utgitt | 23. november 2022 |
| ISBN13 | 9780323999120 |
| Utgivere | Elsevier - Health Sciences Division |
| Antall sider | 800 |
| Mål | 198 × 243 × 44 mm · 1,76 kg |