Fortell venner om denne varen:
Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies Nabil Shovon Ashraf
Pris
₩ 65.000
Bestillingsvarer
Forventes levert 10. - 18. des
Julegaver kan byttes frem til 31. januar
Legg til iMusic ønskeliste
eller
Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies
Nabil Shovon Ashraf
Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.
| Media | Bøker Innbunden bok (Bok med hard rygg og stivt omslag) |
| Utgitt | 27. mars 2025 |
| ISBN13 | 9783031842856 |
| Utgivere | Springer International Publishing AG |
| Antall sider | 129 |
| Mål | 150 × 220 × 20 mm · 472 g |
| Språk | Tysk |
Vis alle
Mer med Nabil Shovon Ashraf
Se alt med Nabil Shovon Ashraf ( f.eks. Pocketbok og Innbunden bok )