Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics - Koichiro Ishibashi - Bøker - Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm - 9783642270185 - 27. november 2013
Ved uoverensstemmelse mellom cover og tittel gjelder tittel

Koichiro Ishibashi
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design - Springer Series in Advanced Microelectronics 2011 edition

Pris
NOK 989

Bestillingsvarer

Forventes levert 1. - 9. okt
Få varsel om nye utgivelser fra Koichiro Ishibashi

Kundene våre sier:

14 dages returrett
Toppvurdering på Trustpilot
Legg til iMusic ønskeliste
eller

Ikke vurdert ennå

Finnes også som:

Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.

310 pages, biography

Media Bøker     Pocketbok   (Bok med mykt omslag og limt rygg)
Utgitt 27. november 2013
ISBN13 9783642270185
Utgivere Springer-Verlag Berlin and Heidelberg Gm
Antall sider 144
Mål 155 × 235 × 8 mm   ·   226 g
Språk Tysk  
Redaktør Ishibashi, Koichiro
Redaktør Osada, Kenichi

Mer fra samme **utgiver**

Se alt med Koichiro Ishibashi